FAQ по памяти Q: Прошу объяснить, на что указывают эти обозначения: PC3200, 400MHz, CL3, ECC и т.д.
A:
PC3200 - число после PC показывает теоретическую пропускную способность памяти в МБайт/сек (в случае PC66, PC100, PC133 - реальную частоту шины памяти).
400MHz - эффективная частота работы памяти.
PC2-3200 - здесь цифра 2 после PC указывает лишь на то, что это DDR2.
DDR400 - число 400 указывает на значение эффективной частоты.
CL4 - число 4 указывает значение тайминга CL.
2.1V - указано значение питающего напряжения. Обычно оно указывается для оверклокерской памяти и его необходимо выставить вручную.
Unbuffered = UDIMM = U - обычный (не регистровый) модуль, предназначен для установки в "десктопные" системы, ноутбуки и т.п.
Non-ECC - модуль без ECC.
240-pin - показывает число выводов(контактов) модуля.
Original - означает, что модуль изготовлен самим производителем микросхем памяти. Иначе говоря, если для модулей Samsung или Hynix не указано Original, то это означает, что модуль изготовлен сторонней компанией, но с использованием микросхем Samsung или Hynix соответственно.
SODIMM - память для ноутбуков (Small Outline Dual Inline Memory Module).
5-5-5-15 - указаны основные тайминги памяти: CL, tRCD, tRP, tRAS.
64Mx8 - организация памяти, указывает на плотность (64M) и разрядность микросхем (8).
2Rx8 - указывает на число ранков (2) и разрядность микросхем (8).
Assy in China - модуль собран в Китае (assy - сокращение от assembly).
BOX - модуль(и) поставляются в "коробочке"(упаковке).
KIT - набор модулей (обычно из двух).
KIT of 2 = matched pair = Dual Ch- набор из двух модулей для работы в режиме Dual Channel.
(with) Heat Spreader - на модуль(и) установлены радиаторы(теплорассеиватели).
Hand-picked (chips) - память со специально отобранными микросхемами с высоким разгонным потенциалом.
6 Layers - модуль изготовлен на шестислойной PCB (печатной плате).
LL - Low Latency - память с низкими таймингами.
EL - может означать как Enhanced Latency (аналог LL), так и Eased Latency (память с обычными таймингами, термин используется у памяти Patriot)
RoHS - память соответствует директиве RoHS, ограничивающей содержание вредных веществ (свинец, кадмий и пр.).
EPP - память с поддержкой профилей EPP.
XMP - память с поддержкой профилей Intel XMP.
Параметры, относящиеся к т.н. серверной памяти:
ECC - модуль оснащен микросхемой(ами) ECC.
Reg = Registered = RDIMM - регистровый модуль (широко распространенный серверный тип памяти).
PLL - модуль оснащен микросхемой PLL (Phase Locked Loop), предназначенной для автоматической подстройки частоты.
LP = Low Profile - низкопрофильные (малой высоты) модули.
VLP = Very Low Profile - низкопрофильные (малой высоты) модули.
Single Rank - одноранговый(одноранковый) модуль.
Dual Rank - двухранговый(двухранковый) модуль.
Fully Buffered = FB-DIMM - относительно новый серверный тип памяти. Основное отличие от DDRII SDRAM Registered DIMM заключается в использовании контроллера AMB (Advanced Memory Buffer), расположенного на модуле памяти и соединенного с чипсетом.
Q: Какую память выбрать для установки на материнскую плату ####?
A: Прежде всего надо изучить руководство к мат.плате(обычно pdf версия есть и на сайте производителя). Здесь оговаривается тип поддерживаемой памяти, ограничения на объем, организацию и т.п.
Кроме того, здесь можно найти и так называемый QVL (Qualified Vendors List) - список протестированных модулей памяти, работа которых была проверена на данной модели материнской платы. Расширенный его список можно обнаружить на сайте производителя мат. платы (обычно в pdf формате).
Некоторые производители памяти (например, Micron) выкладывают информацию о проверенной совместимости их модулей с некоторыми мат. платами. Другие же (например, Kingston) предоставляют на своих сайтах специальные конфигураторы, с помощью которых можно подобрать память, совместимую с указанной мат. платой.
Существуют и независимые тест-группы, например CMTlabs - здесь можно найти таблицы совместимости модулей памяти с различными мат. платами Intel (остальная информации менее актуальна).
Q: Что необходимо изменить в BIOS Setup при установке памяти?
A: Как правило, ничего. Подавляющее большинство компьютеров распознает и конфигурирует установленную память автоматически.
Иногда может потребоваться сменить параметры на значения, которые заявлены производителем модулей памяти: напряжение, тайминги, частота, и которые отличаются от стандартных, автоматически выставляемых материнской платой.
В случае смены или установки дополнительной памяти может потребоваться перевести параметры в изначальное(default) состояние: by SPD, Auto, или просто "сбросить" BIOS. Это связано с тем, что для предыдущей или уже установленной памяти могли быть выставлены параметры, не подходящие для новой, что способно привести к сбоям в работе.
Q: Как протестировать оперативную память на предмет ошибок?
A: Для этого можно воспользоваться специальными программами диагностики. Одной из лучших программ для тестирования оперативной памяти(ОП) является Memtest86+ ( Memtest86+ v2.01 Версия для создания загрузочного CD). Перед использованием программы создайте загрузочный CD с помощью указанного образа, затем загрузите компьютер с этого диска, при этом программа запустится автоматически и начнется проверка ОП. Чем больше циклов проверки будет сделано, тем надежнее будут результаты теста, при обнаружении даже одной ошибки проверяемую ОП можно считать не прошедшей тестирование. Для большей уверенности следует проводить тестирование в течение нескольких часов, а в исключительных случаях может потребоваться более суток.
Следует заметить, что проверяется лишь текущая конфигурация памяти при текущих настройках. Например, случае использования оверклокерской памяти, требующей повышенного напряжения питания, обычно необходимо вручную выставлять это значение напряжения. Если этого не сделать, программы диагностики будут выдавать ошибки даже в случае, если память исправна.
Q: Что такое тайминги?
A: Тайминги - это задержки, возникающие при операциях доступа к содержимому памяти. Подобные задержки также ещё называют латентностью.
Ниже приводятся наиболее часто упоминаемые тайминги:
CAS Latency (tCL, CL) - число циклов тактового сигнала между командой на чтение и началом считывания (меньше-лучше);
RAS to CAS Delay (tRCD, Trcd, RCD) - интервал в циклах тактового сигнала между сигналом RAS# (Row Address Strobe) и сигналом CAS# (Column Address Strobe), необходимый по причине задержки после подачи сигнала RAS# на активацию строки или это интервал между командой активации и командой чтения/записи (меньше-лучше);
Row Precharge Time (tRP, RAS Precharge Time, Trp, RP) - время, необходимое на закрытие строки банка памяти или минимальное время между закрытием строки и активацией новой строки (в циклах тактового сигнала) (меньше-лучше);
Active to Precharge Delay (tRAS, Min RAS Active Time, Precharge Wait State, Row Active Delay, Tras) - параметр определяет минимальное время активности строки (в циклах тактового сигнала) от момента её активации до её закрытия - подачи сигнала предварительного заряда банка (Precharge) (обычно меньше-лучше);
Диаграмму таймингов можно увидеть на следующем рисунке.
Вышеприведённые тайминги часто указывают вместе в виде CL-tRCD-tRP-tRAS. Например, 3-3-3-8.
Иногда можно встретить иную запись, например 3-3-3-8 1T. Здесь последним указан Command Rate.
Command Rate ( CR, CMD Rate, 1T/2T) – время, необходимое на распознавание команд и адресов. При значении 1T потребуется 1 цикл(clock cycle), при 2T – 2 цикла.
Использование значения 2T позволяет использовать различные комбинации модулей на более высоких частотах. Значение 1T повышает производительность подсистемы памяти, но снижается стабильность системы, а также её разгонный потенциал.
Контроллер процессоров A64 позволяет выставлять 1T начиная с ревизии CG. Но при использовании нескольких модулей в большинстве случаев частота их работы будет снижена.
В частности, при использовании процессоров A64 ревизии E (socket 939) и четырёх односторонних модулей DDR400 при использовании 1T, частота их будет снижена до 333МГц, при использовании хотя бы одного двухстороннего модуля среди четырёх, частота их будет снижена до 200МГц. В рассматриваемом примере при 2T добиться работы модулей на полной частоте можно лишь при использовании двухсторонних модулей в разных каналах или использовании только односторонних модулей.
Для последних процессоров Intel возможность выставить 1T существует лишь при использовании чипсетов nForce или AMD RD600, в чипсетах Intel такая возможность появилась лишь с выходом чипсетов Intel 3 Series.
FAQ по таймингам.
FAQ по таймингам.
Помимо упомянутых выше Keper таймингов, называемых также основными, есть другие второстепенные, называемые также подтаймингами. Они оказывают обычно меньшее влияние. Но благодаря настройке некоторых из них вы можете выжать порой значительное количество дополнительных мегагерц, либо повысить скорость, снизив их.
Trc, Row Cycle Time, Activate to Activate/Refresh Time, Active to Active/Auto Refresh Time – минимальное время между активацией строк одного банка. Является комбинацией таймингов Tras+Trp – минимального времени активности строки и времени её закрытия (после чего можно открывать новую).
Trfc, Row Refresh Cycle Time, Auto Refresh Row Cycle Time, Refresh to Activate/Refresh Command Period, – минимальное время между командой на обновление строки и командой активизации, либо другой командой обновления.
Trrd, ACTIVE bank A to ACTIVE bank B command, RAS to RAS Delay, Row Active to Row Active – минимальное время между активацией строк разных банков. Архитектурно открывать строку в другом банке можно сразу за открытием строки в первом банке. Ограничение же чисто электрическое – на активацию уходит много энергии, а потому при частых активациях строк очень высока электрическая нагрузка на цепи. Чтобы её снизить, была введена данная задержка. Используется для реализации функции чередования доступа к памяти (interleaving).
http://images.people.overclockers.ru/113976.png
WR, Write Recovery, Write to Precharge – минимальное время между окончанием операции записи и подачей команды на предзаряд (Precharge) строки для одного банка.
http://images.people.overclockers.ru/113977.png
WTR, Trd_wr, Write To Read – минимальное время между окончанием записи и подачей команды на чтение (CAS#) в одном ранке.
RTW, Read To Write – минимальное время между окончанием операции чтения и подачей команды на запись, в одном ранке.
http://images.people.overclockers.ru/113979.png
Trtp, Read to Precharge – минимальный интервал между подачей команды на чтение до команды на предварительный заряд.
WL, Write Latency – задержка между подачей команды на запись и сигналом DQS. Аналог CL, но для записи.
Tdal, цитата из JEDEC 79-2C, p.74: auto precharge write recovery + precharge time (Twr+Trp).
Max Async Latency – максимальное время асинхронной задержки. Параметр управляет длительностью асинхронной задержки, зависящей от времени, необходимого для передачи сигнала от контроллера памяти до самого дальнего модуля памяти и обратно. Опция существует в процессорах фирмы AMD (Athlon\Opteron).
DRAM Read Latch Delay – задержка, устанавливающая время, необходимое для “запирания” (однозначного распознавания) конкретного устройства. Актуально при повышении нагрузки (числа устройств) на контроллер памяти.
Trpre, Read preamble – время, в течение которого контроллер памяти откладывает активацию приёма данных перед чтением, во избежание повреждения данных.
Read\write Queue Bypass – определяет число раз, которое самый ранний запрос в очереди может быть обойден контроллером памяти, прежде чем быть выполненным.
Bypass Max – определяет, сколько раз самая ранняя запись в DCQ может быть обойдена, прежде чем выбор арбитра будет аннулирован. При установке в 0 выбор арбитра всегда учитывается.
SDRAM MA Wait State, Read Wait State установка 0—2-тактного опережения адресной информации перед подачей сигнала CS#.
Turn-Around Insertion – задержка между циклами. Добавляет задержку в такт между двумя последовательными операциями чтения/записи.
DRAM R/W Leadoff Timing, rd/wr command delay – задержка перед выполнением команды чтения/записи. Обычно составляет 8/7 или 7/5 тактов соответственно. Время от подачи команды до активации банка.
Speculative Leadoff, SDRAM Speculative Read. Обычно в память поступает сначала адрес, затем команда на чтение. Поскольку на расшифровку адреса уходит относительно много времени, можно применить упреждающий старт, подав адрес и команду подряд, без задержки, что повысит эффективность использования шины и снизит простои.
Q: Что из себя представляет двухканальный режим работы памяти (Dual Channel mode)?
A: Это режим, позволяющий значительно увеличить пропускную способность памяти, и, как следствие, общую производительность системы. Для этого требуется как минимум 2 модуля памяти и соответствующая поддержка со стороны контроллера памяти (чипсета). Этот режим ещё называют 128 битным (128-bit mode, 128-bit interface), т.к. два канала работают в спаренном режиме (64+64).
Q: Что нужно сделать, чтобы заработал Dual Channel?
A: Если ваша система (материнская плата/процессор) имеет поддержку данного режима, то для этого потребуется лишь установить модули памяти в необходимом порядке. Схему установки модулей памяти можно найти в руководстве к материнской плате.
В большинстве случаев одинаковые модули, составляющие пару, устанавливаются в слоты на мат. плате, соответствующие разным каналам. Исключением могут быть случаи, когда используются чипсеты Intel с поддержкой Flex Memory Technology или чипсет nForce2 Ultra 400. При их использовании главным требованием для активирования двухканального режима является одинаковый "объем" памяти на канал, т.е. наряду с использованием пар одинаковых модулей, возможно использование и трёх модулей. Например, 256МБ+256МБ и 512МБ.
Следует упомянуть, что обычно требуется использовать модули, составляющие пару, с одинаковой плотностью чипов, объёмом (частным случаем является правило использования или односторонних или двухсторонних модулей), а также желательно, но не требуется, использовать модули с одинаковой частотой, схемой таймингов. Конкретные требования исходят от использования того или иного контроллера памяти, входящего в состав чипсета (процессора).
Q: Как узнать, что задействован режим Dual Channel?
A: Об этом можно узнать уже на стадии включения компьютера - во время вывода информации о процессоре, памяти и т.д. можно увидеть надпись, указывающую на активность данного режима, например, "Memory Runs at Dual Channel", "Dual Channel Enabled", "Dual Channel Interleaved". Узнать, работает ли Dual Channel можно и в среде Windows, для этого потребуется лишь воспользоваться программами, предоставляющими информацию об установленной памяти (см. соответствующий вопрос). К примеру, в программе CPU-Z на закладке Memory в поле Channels указывает текущий режим.
Q: Какой прирост производительности даёт Dual Channel?
A: Пока что все тесты, проводимые мной, показывали малый прирост (до 5%) от использования Dual Channel как на платформе Intel Core2, так и на AMD Athlon64 X2.
Прирост от Dual Channel Asymmetric составляет ещё меньшие значения по равнению с Dual Channel Interleaved и принимает значения до 2.5%.
Даже при использовании встроенной видеокарты прирост от Dual Channel минимален.
Примечание: Everest и т.п. синтетические тесты, не отражающие прирост в реальных приложениях, не используются.
W.I.P.
Q: Что такое Intel® Flex Memory Technology?
A: Данная технология расширяет возможности "классического" двухканального режима, позволяя использовать более гибкие конфигурации памяти и сохраняя высокий уровень быстродействия. Технология Flex Memory используется в чипсетах Intel, начиная с серии 9хх.
Кроме Single Channel Mode, современные чипсеты Intel при использовании Flex Memory Technology позволяют использовать еще ряд режимов:
-- Dual Channel Interleaved (Symmetric) Mode. В данном режиме достигается максимальная производительность. Для его активации требуется лишь равенство "объемов" памяти в разных каналах, т.е. возможно использование и трех модулей памяти. Например, 512MB и 512MB или 256MB+256MB и 512MB.
-- Dual Channel Asymmetric Mode (Stacked). От предыдущего этот режим отличается тем, что здесь нет требования равного "объема" памяти на канал. Но в большинстве случаев пропусная способность памяти в этом режиме соответствует Single Channel mode.
-- Flex Mode (L-shaped). Данный режим может быть задействован при использовании чипсетов 946/965-го семейства или Intel® 3 Series при неравномерном заполнении каналов. При этом он является своеобразной смесью режимов: совпадающие объёмы памяти в обоих каналах будут работать в симметричном двухканальном режиме, а остальная часть памяти одного из каналов будет работать в одноканальном режиме.
: Что такое односторонний/двухсторонний модуль (Single Sided, Double Sided)?
A: Если микросхемы на модуле смонтированы только с одной стороны PCB (печатной платы), то модуль односторонний, если с двух – двухсторонний.
Q: Что такое банки памяти?
A: Существуют физические банки и логические банки:
1. Ширина шины данных простых модулей составляет 64 бита. Обычно используются микросхемы разрядностью 4, 8 или 16 бит. Таким образом, для получения общей разрядности 64 бита, потребуется набор из 16, 8 или 4 микросхем соответственно. Каждый такой набор микросхем объединяется в физический банк. В одном модуле может быть размещено несколько физических банков. В случае простых (unbuffered) модулей каждая сторона модуля с микросхемами соответствует одному физическому банку, т.е. понятия однобанковый/двухбанковый модуль соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль.
При использовании модулей с ECC разрядность шины данных будет 72 бита, дополнительные 8 бит потребуются для реализации упомянутой ЕСС.
2. Логические банки организованы внутри микросхем памяти, т.е. осуществляется разбиение массива данных. Для различных типов памяти число банков строго оговаривается в спецификациях.
В частности, для DDR число банков составляет 4. Микросхемы DDR2 содержат по 4 логических банка при плотности чипов 256Mb и 512Mb и 8 банков при плотности чипов 1Gb и выше.
Q: Что такое Rank?
A: Ранг (ранк) - это физический банк модуля памяти. В отношении простых (unbuffered) модулей понятия одноранговый/двухранговый или Single Rank/Double Rank соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль. В отношении регистровых модулей данное правило не действует. Например, двухстороннее расположение микросхем на модуле может соответствовать одно-, двух-, или четырехранговой схеме.
Q: Что такое ECC, чип ECC?
A: Микросхема встроенного в модуль памяти контроллера ECC (Error Checking and Correction, Error Correction Code). "Выявление и исправление ошибок" - алгоритм, позволяющий в случае возникновения ошибки в одном бите восстановить адрес ошибки и исправить ее. Ошибки в двух битах детектируются, но не исправляются. ECC поддерживают практически все современные серверы, существует также поддержка со стороны некоторых десктопных чипсетов (intel 925, 955, 975 и др.).
Повышенная функциональность в виде коррекции ошибок длинной более одного бита (до 4х) в одном модуле имеется только у регистровых буферизованных модулей, что связано с необходимостью применения дополнительной логики на самом модуле с соответствующей поддержкой со стороны чипсета.
